首页 > 商品目录 > > > > FDN352AP代替型号比较

FDN352AP  与  AO3409  区别

型号 FDN352AP AO3409
唯样编号 A3-FDN352AP-2 A36-AO3409
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
Td(off)(ns) - 11.8
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 110mΩ@-2.6A,-10V
漏源极电压Vds -30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 180mΩ
Pd-功率耗散(Max) 500mW 1.4W
Qrr(nC) - 4.4
VGS(th) - -2.4
Qgd(nC) - 1.1
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id -1.3A -2.6A
Ciss(pF) - 197
Trr(ns) - 11.3
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 0 16,207
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6292
200+ :  ¥0.4056
1,500+ :  ¥0.3523
3,000+ :  ¥0.312
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

暂无价格 0 当前型号
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

暂无价格 18,000 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55℃~150℃

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
16,207 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

¥0.4849 

阶梯数 价格
110: ¥0.4849
200: ¥0.3133
1,500: ¥0.2717
6,146 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

¥0.594 

阶梯数 价格
90: ¥0.594
200: ¥0.4849
919 对比
SI3407-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 39 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售