FDN339AN 与 ZXMN2F30FHQTA 区别
| 型号 | FDN339AN | ZXMN2F30FHQTA | ||||||
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| 唯样编号 | A3-FDN339AN-1 | A36-ZXMN2F30FHQTA | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.061 Ohm 0.5 W PowerTrenChannel SMT Mosfet - SSOT-3 | MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 45mΩ@2.5A,4.5V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 452 pF @ 10 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 4.8 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.9A(Ta) | ||||||
| 驱动电压 | - | 2.5V,4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,000 | 5,899 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN339AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3400A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V |
￥0.6094
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388,238 | 对比 | ||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 对比 | ||||||||||
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SI3420A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C 6A 28mΩ@5A,4.5V 20V 1.25W ±10V N-Channel |
￥0.226
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9,000 | 对比 | ||||||||||
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AO3400A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V |
￥1.5
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN2F30FHQTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 4.9A(Ta) 车规 |
￥0.8434
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5,899 | 对比 |
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