FDN339AN 与 RUR040N02TL 区别
| 型号 | FDN339AN | RUR040N02TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN339AN-1 | A3-RUR040N02TL |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.061 Ohm 0.5 W PowerTrenChannel SMT Mosfet - SSOT-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 35mΩ@4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SC-96 |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 680pF @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 100 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN339AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI3420A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C 6A 28mΩ@5A,4.5V 20V 1.25W ±10V N-Channel |
￥0.226
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12,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
￥0.641
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2,689 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥4.7242
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1,675 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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