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FDN338P  与  SI2301-TP  区别

型号 FDN338P SI2301-TP
唯样编号 A3-FDN338P-2 A3-SI2301-TP
制造商 ON Semiconductor MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 115 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 SI2301 Series 20 V 120 mOhm SMT P-Channel Field Effect Transistor - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SuperSOT-3 SOT-23
连续漏极电流Id 1.6A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 451pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 451pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN338P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 115m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.6A 115 毫欧 @ 1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3

暂无价格 0 当前型号
NX2301P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.4W -55°C~150°C ±8V -20V -2A 车规

暂无价格 18,000 对比
SI2301A-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V

暂无价格 6,000 对比
SI2301-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -20V 12V -3.5A 1.4W 85mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C

¥0.5128 

阶梯数 价格
1: ¥0.5128
100: ¥0.4082
1,000: ¥0.2941
1,500: ¥0.2532
3,000: ¥0.2
2,775 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 378 对比

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