| 型号 | FDN337N | AO3402 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN337N-2 | A36-AO3402 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 18 | ||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | 52mΩ@4A,10V | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 65mΩ | ||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | - | 85mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 1.6 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±12V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 3.5 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | 4A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 235 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||
| Trr(ns) | - | 8.5 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 17.5 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 1.4W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 2.6 | ||||||||
| VGS(th) | - | 1.5 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 35 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 4.7 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 95,319 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6149
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95,319 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
￥0.6138
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8,528 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
￥1.628
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6,141 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5395
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5,560 | 对比 | ||||||||||||
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥0.9724
|
3,000 | 对比 |
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