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FDN302P  与  NTR1P02LT1G  区别

型号 FDN302P NTR1P02LT1G
唯样编号 A3-FDN302P-1 A3-NTR1P02LT1G
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 20 V 55 mOhm 2.5V Surface Mount Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SuperSOT-3 SOT-23-3(TO-236)
连续漏极电流Id 2.4A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 882pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 882pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN302P ON Semiconductor 通用MOSFET

2.4A(Ta) ±12V 500mW(Ta) 55m Ohms@2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 2.4A 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3

暂无价格 0 当前型号
NTR1P02LT3G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

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IRLML2244TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 54mΩ@4.3A,4.5V P-Channel 20V 4.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 9,840 对比
AO3401A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 12V -4A 1.4W 50mΩ@10V

¥1.449 

阶梯数 价格
440: ¥1.449
1,000: ¥1.0733
1,500: ¥0.805
3,000: ¥0.6279
6,000 对比
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

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PMV48XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A

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