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FDMS86181  与  SIR668DP-T1-RE3  区别

型号 FDMS86181 SIR668DP-T1-RE3
唯样编号 A3-FDMS86181 A3t-SIR668DP-T1-RE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 100 V 44A(Ta),124A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PQFN-8 PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id - 95A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.8 mOhms @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 104W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3.4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86181 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

PQFN-8

暂无价格 3,000 当前型号
SIR668DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

95A(Tc) N-Channel 4.8 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 100V

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