FDMS86101 与 DMT10H010LPS-13 区别
| 型号 | FDMS86101 | DMT10H010LPS-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-FDMS86101 | A36-DMT10H010LPS-13 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56 | MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | PowerDI5060-8 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9.4A(Ta),98A(Tc) | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.2W(Ta),139W(Tc) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 9.5mΩ@13A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3000 pF @ 50 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 71 nC @ 10 V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,275 | 3,946 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDMS86101 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 1,275 | 当前型号 | |||||||||||
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STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
￥4.6283
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3,946 | 对比 | ||||||||||
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STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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BSC060N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 90A 6mΩ@50A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC070N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 90A 7mΩ@50A,10V ±20V 114W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-1 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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