FDMS86101 与 AUIRFN7110TR 区别
| 型号 | FDMS86101 | AUIRFN7110TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDMS86101 | A-AUIRFN7110TR |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14.5mΩ@35A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 4.3W(Ta),125W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 58A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3050pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 74nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,275 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86101 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 1,275 | 当前型号 | |||||||||||
|
STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
¥4.6096
|
3,946 | 对比 | ||||||||||
|
STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
|
BSC077N12NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
120V 98A 7.7mΩ@50A,10V ±20V 139W -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AUIRFN7110TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 58A(Tc) ±20V 4.3W(Ta),125W(Tc) 14.5mΩ@35A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TDSON-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |