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FDMS86101  与  AUIRFN7110TR  区别

型号 FDMS86101 AUIRFN7110TR
唯样编号 A3-FDMS86101 A-AUIRFN7110TR
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.5mΩ@35A,10V
漏源极电压Vds - 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 4.3W(Ta),125W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - PG-TDSON-8
连续漏极电流Id - 58A(Tc)
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3050pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 74nC @ 10V
库存与单价
库存 1,275 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86101 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 1,275 当前型号
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 6,000 对比
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥4.6096 

阶梯数 价格
20: ¥4.6096
100: ¥3.8335
1,250: ¥3.4876
2,500: ¥3.3473
3,946 对比
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
BSC077N12NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

120V 98A 7.7mΩ@50A,10V ±20V 139W -55°C~150°C 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
AUIRFN7110TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 58A(Tc) ±20V 4.3W(Ta),125W(Tc) 14.5mΩ@35A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TDSON-8 车规

暂无价格 0 对比

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