FDMS6673BZ 与 DMP3010LPSQ-13 区别
| 型号 | FDMS6673BZ | DMP3010LPSQ-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDMS6673BZ | A-DMP3010LPSQ-13 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.8m Ohms@15.2A,10V | 7.5m Ohms@10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),73W(Tc) | 2.18W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PQFN(5x6) | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流Id | 15.2A | 36A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5915pF @ 15V | 6234pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | 126.2nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30,600 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS6673BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.2A(Ta),28A(Tc) ±25V 2.5W(Ta),73W(Tc) 6.8m Ohms@15.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power P-Channel 30V 15.2A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 30,600 | 当前型号 |
|
DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 36A(Ta) ±20V 2.18W(Ta) 7.5m Ohms@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 36A 8-PowerTDFN 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSC060P03NS3E G | Infineon | 功率MOSFET |
30V 100A 6mΩ 25V 83W P-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
