首页 > 商品目录 > > > > FDMC86139P代替型号比较

FDMC86139P  与  RQ3P045ATTB1  区别

型号 FDMC86139P RQ3P045ATTB1
唯样编号 A3-FDMC86139P A33-RQ3P045ATTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMC86139P Series 100 V 15 A 67 mOhm SMT P-Channel Power Trench Mosfet - MLP-8 Pch -100V -14.5A Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67m Ohms@4.4A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),40W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-MLP(3.3x3.3) HSMT8
连续漏极电流Id 4.4A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1335pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 2,755 11
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMC86139P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.4A(Ta),15A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),40W(Tc) 67m Ohms@4.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN Power P-Channel 100V 4.4A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 2,755 当前型号
RQ3P045ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 150 对比
RQ3P045ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 11 对比
RQ3P045ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售