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FDD390N15A  与  IRFR24N15DTRPBF  区别

型号 FDD390N15A IRFR24N15DTRPBF
唯样编号 A3-FDD390N15A A-IRFR24N15DTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 FDD390N15A Series 150 V 26 A 40 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 95mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252(DPAK) D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 24A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD390N15A ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252(DPAK)

暂无价格 1 当前型号
IRFR24N15DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak

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