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FDD390N15ALZ  与  IRFR4615PBF  区别

型号 FDD390N15ALZ IRFR4615PBF
唯样编号 A3-FDD390N15ALZ A-IRFR4615PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 63W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 42 毫欧 @ 26A,10V 42mΩ@21A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 63W(Tc) 144W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
连续漏极电流Id 26A 33A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 75V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1760pF @ 75V 1750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 26nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1760pF 1750pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD390N15ALZ ON Semiconductor 通用MOSFET

26A(Tc) ±20V 63W(Tc) 42m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 26A 42 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRFR4615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRFR4615 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 33A 42mΩ 144W 车规

暂无价格 0 对比

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