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FDD2582  与  SUD25N15-52-E3  区别

型号 FDD2582 SUD25N15-52-E3
唯样编号 A3-FDD2582 A3t-SUD25N15-52-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 66 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252AA Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 3W(Ta),136W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 25A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1725pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 对比

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