FDC658AP 与 DMP3050LVT-7 区别
| 型号 | FDC658AP | DMP3050LVT-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A3-FDC658AP-1 | A36-DMP3050LVT-7 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6 | DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@4.5A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W(Ta) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOT-26 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 620pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.5nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,000 | 1,510 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FDC658AP | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||
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AO6405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 52mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥0.8514
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7,930 | 对比 | ||||||||
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AO6405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 52mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
￥1.0604
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1,510 | 对比 | ||||||||
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DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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