FDC658AP 与 RSQ035P03TR 区别
| 型号 | FDC658AP | RSQ035P03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDC658AP-1 | A-RSQ035P03TR |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6 | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1.25W(Ta) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 780pF @ 10V |
| FET类型 | - | P 通道 |
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSMT6(SC-95) |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 65 毫欧 @ 3.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 9.2nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC658AP | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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AO6405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 52mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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