FDC655BN 与 DMG6402LVT-7 区别
| 型号 | FDC655BN | DMG6402LVT-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDC655BN | A-DMG6402LVT-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 1.6 W 13 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - SSOT-6 | Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 30mΩ |
| 上升时间 | - | 6.2ns |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.75W |
| Qg-栅极电荷 | - | 11.4nC |
| 栅极电压Vgs | - | 1.5V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 13.9ns |
| 封装/外壳 | SSOT-6 | TSOT-26 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6A |
| 系列 | - | DMG6402 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 498pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 2.8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 3.4ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDC655BN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥0.8851
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1,100 | 对比 | |||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥2.4244
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983 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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