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FDC3612  与  SI3474DV-T1-GE3  区别

型号 FDC3612 SI3474DV-T1-GE3
唯样编号 A3-FDC3612-1 A3t-SI3474DV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 125 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SuperSOT-6 TSOT-23-6
连续漏极电流Id - 3.8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 126 mOhms @ 2A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC3612 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SuperSOT-6

暂无价格 3,000 当前型号
SI3474DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Tc) N-Channel 126 mOhms @ 2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 对比
SI3474DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Tc) N-Channel 126 mOhms @ 2A,10V 3.6W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 对比

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