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FDB52N20TM  与  IRFS38N20DTRLP  区别

型号 FDB52N20TM IRFS38N20DTRLP
唯样编号 A3-FDB52N20TM A-IRFS38N20DTRLP
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 0.049 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet D2PAK-3 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 91 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 357W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 49 毫欧 @ 26A,10V 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 52A 38A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 UniFET™ HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC 91nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDB52N20TM ON Semiconductor 通用MOSFET

52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
PHB33NQ20T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB33NQ20T_SOT404 N-Channel 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A

¥10.5334 

阶梯数 价格
10: ¥10.5334
100: ¥7.8025
400: ¥6.6123
800: ¥6.0663
30 对比
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404 N-Channel 57mΩ@17A,10V 250W -55°C~175°C ±20V 200V 39A

¥15.4429 

阶梯数 价格
10: ¥15.4429
100: ¥11.4392
400: ¥9.6942
800: ¥8.8938
18 对比
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比

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