FDB44N25TM 与 IRF540NSTRRPBF 区别
| 型号 | FDB44N25TM | IRF540NSTRRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDB44N25TM | A-IRF540NSTRRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 250 V 0.069 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet - D2PAK-3 | Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC HexfetPower Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 44mΩ@16A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 130W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 33A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 71nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1960pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 71nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB44N25TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
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IRF540NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF540NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 33A(Tc) ±20V 130W(Tc) 44mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB600N25N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 51mΩ 20V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUM45N25-58-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 45A(Tc) ±30V 3.75W(Ta),375W(Tc) 58m Ohms@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 250V 45A TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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