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FDB2532  与  IRFS4321TRLPBF  区别

型号 FDB2532 IRFS4321TRLPBF
唯样编号 A3-FDB2532 A-IRFS4321TRLPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 0.075 Ohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 D2PAK(TO-263) TO-263-3
工作温度 - -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 85A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15mΩ@33A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 350W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 800 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDB2532 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

D2PAK(TO-263)

暂无价格 800 当前型号
IRFS4321TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 N-Channel 350W 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C ±30V 150V 85A

暂无价格 800 对比
IRFS4115TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4115PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4321PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 83A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4321TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 85A(Tc) ±20V 350W(Tc) 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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