FDB2532 与 IRFS4115PBF 区别
| 型号 | FDB2532 | IRFS4115PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDB2532 | A-IRFS4115PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 150 V 0.075 Ohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 | Single N-Channel 150 V 375 W 77 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 12.1mΩ@62A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK(TO-263) | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 195A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5270pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5270pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB2532 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK(TO-263) |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
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IRFS4321TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 N-Channel 350W 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C ±30V 150V 85A |
暂无价格 | 800 | 对比 |
|
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS4115PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.1mΩ@62A,10V N-Channel 150V 195A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFS4321PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 83A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFS4321TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 85A(Tc) ±20V 350W(Tc) 15mΩ@33A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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