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FCPF125N65S3  与  R6030KNXC7  区别

型号 FCPF125N65S3 R6030KNXC7
唯样编号 A3-FCPF125N65S3 A-R6030KNXC7
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 86W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@12A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 38W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2350pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FM
连续漏极电流Id 24A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 130 毫欧 @ 14.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 2.4mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1790pF @ 400V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCPF125N65S3 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥15.3511 

阶梯数 价格
10: ¥15.3511
50: ¥15.0636
100: ¥14.7761
378 对比
IPA60R120P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R120P7XKSA1_PG-TO220-3

暂无价格 0 对比
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 0 对比
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IPA60R125C6XKSA1_10.65mm

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STF33N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

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