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FCP165N60E  与  IPP60R190P6  区别

型号 FCP165N60E IPP60R190P6
唯样编号 A3-FCP165N60E A33-IPP60R190P6-0
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 227W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165 毫欧 @ 11.5A,10V 190mΩ
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 23A(Tc) 20.2A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2434pF @ 380V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSP6
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥23.889
10+ :  ¥20.0273
50+ :  ¥17.7179
100+ :  ¥15.7823
500+ :  ¥15.7631
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
1,999 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

¥6.567 

阶梯数 价格
8: ¥6.567
100: ¥5.247
1,000: ¥4.862
1,350 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
596 对比
IPP60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190P6XKSA1_10mm

¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
500: ¥15.7631
500 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥7.326 

阶梯数 价格
7: ¥7.326
100: ¥5.852
128 对比

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