FCH104N60F 与 R6030ENZ1C9 区别
| 型号 | FCH104N60F | R6030ENZ1C9 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FCH104N60F | A3-R6030ENZ1C9 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 130mΩ@14.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 120W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 30A(Tc) |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2100pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 85nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 27 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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FCH104N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
￥119.5692
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386 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥68.5567
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30 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 27 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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