首页 > 商品目录 > > > > FCD900N60Z代替型号比较

FCD900N60Z  与  AOD4S60  区别

型号 FCD900N60Z AOD4S60
唯样编号 A3-FCD900N60Z A-AOD4S60
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 0.75
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.3A,10V 900mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 1.8
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 4A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 263
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 177
Td(off)(ns) - 40
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc) 56.8W
Qrr(nC) - 1500
VGS(th) - 4.1
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
Coss(pF) - 21
Qg*(nC) - 6*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD950A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
2,540 对比
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_DPAK

暂无价格 2,500 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售