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FCD850N80Z  与  AOD7S65  区别

型号 FCD850N80Z AOD7S65
唯样编号 A3-FCD850N80Z A-AOD7S65
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet -TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V 650mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 2.7
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 DPAK TO-252
连续漏极电流Id 6A 7A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 434
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 224
Td(off)(ns) - 55
漏源极电压Vds 800V 650V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 89W
Qrr(nC) - 2800
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
Coss(pF) - 30
Qg*(nC) - 9.2*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD850N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 当前型号
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R2K0C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD65R1K5CE Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD65R1K5CEAUMA1_DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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