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FCD1300N80Z  与  IPD70R1K4P7SAUMA1  区别

型号 FCD1300N80Z IPD70R1K4P7SAUMA1
唯样编号 A3-FCD1300N80Z A36-IPD70R1K4P7SAUMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 23W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3Ω@2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 158pF @ 400V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 4A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.7nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.4 欧姆@ 700mA,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 100V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 40uA
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 700V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,114
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.354
100+ :  ¥1.815
1,250+ :  ¥1.584
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 当前型号
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4P7S_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.354 

阶梯数 价格
30: ¥2.354
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,114 对比
AOD7N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
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TO-252

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STD7NM80 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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TO-252

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