首页 > 商品目录 > > > > FCD1300N80Z代替型号比较

FCD1300N80Z  与  AOD7N60  区别

型号 FCD1300N80Z AOD7N60
唯样编号 A3-FCD1300N80Z A-AOD7N60
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3Ω@2A,10V 1300mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 6.9
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 25
封装/外壳 DPAK TO-252
连续漏极电流Id 4A 7A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 975
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 100V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 388
Td(off)(ns) - 58
漏源极电压Vds 800V 600V
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc) 178W
Qrr(nC) - 4400
VGS(th) - 4.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
Coss(pF) - 88
Qg*(nC) - 19.3*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCD1300N80Z ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK

暂无价格 0 当前型号
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4P7S_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥2.354 

阶梯数 价格
30: ¥2.354
100: ¥1.815
1,250: ¥1.584
2,114 对比
AOD7N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,131 对比
AOD1R4A70 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 50 对比
STD7NM80 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD7N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售