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EMH10T2R  与  RN1905FE,LF(CT  区别

型号 EMH10T2R RN1905FE,LF(CT
唯样编号 A3-EMH10T2R A-RN1905FE,LF(CT
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 EMH1 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 47K Ohms -
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极(R2) - 47 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 2.2 千欧
封装/外壳 SOT-563 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 250MHz
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
直流电流增益hFE 80 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN 2 个 NPN 预偏压式(双)
R1 2.2K Ohms -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EMH10T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563

暂无价格 100 当前型号
RN1905FE,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

暂无价格 0 对比

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