| 型号 | EM6M2T2R | VT6M1T2CR | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-EM6M2T2R | A33-VT6M1T2CR | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N & P-Channel 150 mW 20 V 1 Ohm Surface Mount 1.2 V Drive Mosfet - SOT-563 | VT6M1 Series 20 V 100 mA 3.5 Ohm Surface Mount N/P-Channel Mosfet - VMT6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | EMT | VMT | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | 0.1A | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω@200mA,4V | 3.5Ω@100mA,4.5V | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | 1V @ 100µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V | 7.1pF @ 10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW | 120mW | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V,±10V | ||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 180 | 250 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EM6M2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1Ω@200mA,4V 150mW 150°C(TJ) EMT N+P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 180 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
|
8,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
|
250 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥3.4309
|
85 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
