| 型号 | EM6M2T2R | VT6M1T2CR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-EM6M2T2R | A-VT6M1T2CR | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Dual N & P-Channel 150 mW 20 V 1 Ohm Surface Mount 1.2 V Drive Mosfet - SOT-563 | VT6M1 Series 20 V 100 mA 3.5 Ohm Surface Mount N/P-Channel Mosfet - VMT6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | EMT | VMT | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.2A | 0.1A | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω@200mA,4V | 3.5Ω@100mA,4.5V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | 1V @ 100µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V | 7.1pF @ 10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW | 120mW | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V,±10V | ||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 180 | 85 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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EM6M2T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1Ω@200mA,4V 150mW 150°C(TJ) EMT N+P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 180 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
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8,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥2.3286
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250 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6M1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
3.5Ω@100mA,4.5V 120mW 150°C(TJ) VMT N+P-Channel 20V 0.1A ±8V,±10V |
￥3.4309
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85 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
