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DMT68M8LSS-13  与  IRF7855TRPBF  区别

型号 DMT68M8LSS-13 IRF7855TRPBF
唯样编号 A3-DMT68M8LSS-13 A-IRF7855TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.9W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@13.5A,10V 9.4mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO
连续漏极电流Id 28.9A(Tc) 12A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2107pF @ 30V 1560pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31.8nC @ 10V 39nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60V 28.9A(Tc) ±20V 8.5mΩ@13.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

暂无价格 0 当前型号
IRF7855TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比

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