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DMP3160L-7  与  FDN352AP  区别

型号 DMP3160L-7 FDN352AP
唯样编号 A3-DMP3160L-7 A36-FDN352AP
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 122mΩ 180mΩ@-1.3A,-10V
上升时间 7.3ns -
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 500mW
Qg-栅极电荷 8.2nC -
栅极电压Vgs 1.3V ±25V
典型关闭延迟时间 22.5ns -
正向跨导 - 最小值 5.9S -
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.7A -1.3A
系列 DMP31 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 227pF @ 10V -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 13.4ns -
典型接通延迟时间 4.8ns -
高度 1mm -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9482
200+ :  ¥0.7293
1,500+ :  ¥0.6336
3,000+ :  ¥0.5907
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V

暂无价格 0 当前型号
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

暂无价格 18,000 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55℃~150℃

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
9,482 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel -30V -1.13A

¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.533
1,500: ¥0.4849
3,000: ¥0.4524
5,960 对比
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

¥0.9482 

阶梯数 价格
60: ¥0.9482
200: ¥0.7293
1,500: ¥0.6336
3,000: ¥0.5907
3,000 对比
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A

暂无价格 1,639 对比

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