DMP3130L-7 与 NTR4171PT1G 区别
| 型号 | DMP3130L-7 | NTR4171PT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMP3130L-7 | A3t-NTR4171PT1G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.3 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 77mΩ@4.2A,10V | 75mΩ@2.2A,10V |
| 正向跨导-最小值 | - | 7 S |
| 上升时间 | - | 16 ns |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.5A | 2.2A(Ta) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9 mm |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,10V | 2.5V,10V |
| 下降时间 | - | 22 ns |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 720pF @ 15V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 1.4V @ 250µA |
| 高度 | - | 0.94 mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) | 480mW(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | - | 32 ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | - | NTR4171P |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 432pF @ 15V | 720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | 15.6nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15.6nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |