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DMP3099L-7  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 DMP3099L-7 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A3-DMP3099L-7 A33-IRLML9301TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3099L Series 30 V 65 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ 64mΩ@3.6A,10V
上升时间 5ns -
Qg-栅极电荷 11nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 3.6A
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 15ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP3099 HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V 4.8nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 4.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 45,000 5,982
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥1.8303
100+ :  ¥1.5428
500+ :  ¥1.3512
1,000+ :  ¥1.3512
2,000+ :  ¥1.3416
4,000+ :  ¥1.332
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3099L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,000 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
36,421 对比
DMP3099L-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.4394 

阶梯数 价格
120: ¥0.4394
500: ¥0.3991
2,500: ¥0.3705
5,000: ¥0.3458
9,096 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.8303 

阶梯数 价格
90: ¥1.8303
100: ¥1.5428
500: ¥1.3512
1,000: ¥1.3512
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.332
5,982 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比

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