DMP3098LDM-7 与 RSQ035P03TR 区别
| 型号 | DMP3098LDM-7 | RSQ035P03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMP3098LDM-7 | A-RSQ035P03TR |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.6 mm | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 1.25W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@4A,10V | - |
| 上升时间 | 5 ns | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 780pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 封装/外壳 | SOT-26 | TSMT6(SC-95) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4A | - |
| 配置 | Single Quad Drain | - |
| 长度 | 3 mm | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 65 毫欧 @ 3.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 高度 | 1.1 mm | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W(Ta) | - |
| 典型关闭延迟时间 | 17.6 ns | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 系列 | DMP | - |
| 通道数量 | 1 Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 336pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.8nC @ 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 3.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 9.2nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3098LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI3401A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SI3401A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 50 | 对比 |
|
STR2P3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STR2P3LLH6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RSQ035P03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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