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DMP3050LVT-7  与  NTGS4111PT1  区别

型号 DMP3050LVT-7 NTGS4111PT1
唯样编号 A3-DMP3050LVT-7 A32-NTGS4111PT1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 630mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.5A,10V 60 毫欧 @ 3.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-26 SOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.5A 2.6A(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC
库存与单价
库存 45,000 20
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.2148
2+ :  ¥0.1974
4+ :  ¥0.1815
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