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DMP26M7UFG-7  与  RQ3C150BCTB  区别

型号 DMP26M7UFG-7 RQ3C150BCTB
唯样编号 A3-DMP26M7UFG-7 A33-RQ3C150BCTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V 6.7mΩ@15A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta) 20W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 4800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 60nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±10V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerDI 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 18A 30A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5940pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 156nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1mA
库存与单价
库存 0 45
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.679
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 当前型号
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.679 

阶梯数 价格
30: ¥6.679
50: ¥4.7912
100: ¥4.1684
500: ¥3.7468
1,000: ¥3.6701
2,000: ¥3.603
3,000 对比
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 190 对比
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥7.3616 

阶梯数 价格
1: ¥7.3616
100: ¥3.9311
3,000: ¥2.8422
91 对比
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.679 

阶梯数 价格
30: ¥6.679
45 对比
DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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