DMP26M7UFG-7 与 RQ3C150BCTB 区别
| 型号 | DMP26M7UFG-7 | RQ3C150BCTB | ||||||
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| 唯样编号 | A3-DMP26M7UFG-7 | A-RQ3C150BCTB | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 | MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.7mΩ@15A,4.5V | 6.7mΩ@15A,4.5V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta) | 20W(Tc) | ||||||
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | 4800pF @ 10V | ||||||
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | 60nC @ 4.5V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±8V | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | PowerDI | 8-PowerVDFN | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 30A(Tc) | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5940pF @ 10V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 156nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 4.5V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 1mA | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 79 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMP26M7UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 2.3W(Ta) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 20V 18A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥6.8515
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2,424 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 610 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
￥7.3616
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79 | 对比 |
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