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DMP2130LDM-7  与  IRF5806  区别

型号 DMP2130LDM-7 IRF5806
唯样编号 A3-DMP2130LDM-7 A-IRF5806
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@4.5A,4.5V 86mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-563 TSOP6L
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 4A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 443pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.3nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 594pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.25W(Ta) 80mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-563 P-Channel 20V 3.4A

暂无价格 0 当前型号
IRF5806 Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 4A(Ta) ±20V 2W(Ta) 86mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP6L

暂无价格 0 对比

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