尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > DMN6070SSD-13代替型号比较

DMN6070SSD-13  与  IRF7103PBF  区别

型号 DMN6070SSD-13 IRF7103PBF
唯样编号 A3-DMN6070SSD-13 A-IRF7103PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@12A,10V 130mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 60V 50V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W 2W
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.3A 3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 588pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

80mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 3.3A

暂无价格 0 当前型号
IRF7103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 130mΩ@3A,10V 2W N-Channel 50V 3A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
IRF7103PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

130mΩ@3A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 50V 3A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4852L AOS 功率MOSFET

3A 2N-Channel 90 mΩ @ 3A,10V 8-SO 1.4W -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售