首页 > 商品目录 > > > > DMN6068SE-13代替型号比较

DMN6068SE-13  与  STN3NF06L  区别

型号 DMN6068SE-13 STN3NF06L
唯样编号 A3-DMN6068SE-13 A3-STN3NF06L
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ@12A,10V 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A 4A
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,10V
库存与单价
库存 24,000 4,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 24,000 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 对比
IRLL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.332 

阶梯数 价格
30: ¥2.332
100: ¥1.804
1,250: ¥1.562
2,497 对比
IRFL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.431 

阶梯数 价格
30: ¥2.431
100: ¥1.881
1,250: ¥1.628
1,852 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-223

¥0.7488 

阶梯数 价格
1: ¥0.7488
25: ¥0.6455
100: ¥0.5564
190 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-223

¥0.7488 

阶梯数 价格
1: ¥0.7488
25: ¥0.6455
29 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售