DMN6040SK3-13 与 IRFR4105ZPBF 区别
| 型号 | DMN6040SK3-13 | IRFR4105ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN6040SK3-13 | A-IRFR4105ZPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 20A TO252 | Single N-Channel 55 V 48 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 48W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 30A |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 24.5mΩ@18A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥7.3593
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2,400 | 对比 | ||||||||||||||
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RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规 |
￥7.3593
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487 | 对比 | ||||||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFR4105ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 48W(Tc) 24.5mΩ@18A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 55V 30A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
