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DMN3730U-7  与  FDV303N  区别

型号 DMN3730U-7 FDV303N
唯样编号 A3-DMN3730U-7 A32-FDV303N-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 460 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 460mΩ@200mA,4.5V 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds 30V 25V
Pd-功率耗散(Max) 450mW(Ta) 350mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.94A 680mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 66,000 832
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.4995
25+ :  ¥0.4305
100+ :  ¥0.3711
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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90: ¥0.5915
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1,500: ¥0.3315
3,000: ¥0.2938
50,798 对比
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SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4995 

阶梯数 价格
1: ¥0.4995
25: ¥0.4305
100: ¥0.3711
832 对比
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¥0.4995 

阶梯数 价格
1: ¥0.4995
25: ¥0.4305
100: ¥0.3711
334 对比
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