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DMN3300U-7  与  IRLML2803TRPBF  区别

型号 DMN3300U-7 IRLML2803TRPBF
唯样编号 A3-DMN3300U-7 A36-IRLML2803TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@4.5A,4.5V 250mΩ@910mA,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A 1.2A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 10V 85pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 85pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 10V
库存与单价
库存 32,000 18,043
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7194
200+ :  ¥0.5499
1,500+ :  ¥0.4771
3,000+ :  ¥0.4225
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 32,000 当前型号
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¥0.7194 

阶梯数 价格
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阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
15,043 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.2327 

阶梯数 价格
70: ¥2.2327
100: ¥1.6482
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.0733
6,000 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.2327 

阶梯数 价格
70: ¥2.2327
100: ¥1.6482
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1116
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