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DMN3110S-7  与  DMN3112S-7  区别

型号 DMN3110S-7 DMN3112S-7
唯样编号 A3-DMN3110S-7 A3-DMN3112S-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 57mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 740mW(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 73mΩ@3.1mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 305.8 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 5.8A
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 268pF @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 42,000 5,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,000 当前型号
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
18,086 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.3703 

阶梯数 价格
110: ¥1.3703
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.3416
2,000: ¥1.3224
11,500 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 5,000 对比
ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
718 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥2.0986 

阶梯数 价格
80: ¥2.0986
100: ¥1.9932
183 对比

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