DMN3070SSN-7 与 PMV50ENEAR 区别
| 型号 | DMN3070SSN-7 | PMV50ENEAR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN3070SSN-7 | A-PMV50ENEAR |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@4.2A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 780mW(Ta) | 0.51W |
| 输出电容 | - | 55pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-59 | SOT23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 4.2A | 3.9A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 697pF @ 15V | - |
| 输入电容 | - | 276pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.2nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 43mΩ@3.9A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 9 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
暂无价格 | 9 | 对比 |
|
|
PMV37EN2R | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W 150°C 1.5V,20V 30V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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