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DMN3033LSN-7  与  IRLML0030TRPBF  区别

型号 DMN3033LSN-7 IRLML0030TRPBF
唯样编号 A3-DMN3033LSN-7 A36-IRLML0030TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6A,10V 27mΩ@5.2A,10V
上升时间 7 ns -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
封装/外壳 SC-59 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A 5.3A
配置 Single -
长度 3 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 382pF @ 15V
高度 1.1 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 63 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMN HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.3V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V 382pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 5V 2.6nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 11 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 30,000 19,026
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
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Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

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70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
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阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.1212
2,000: ¥1.0939
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¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
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暂无价格 3,048 对比

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