首页 > 商品目录 > > > > DMN3033LSN-7代替型号比较

DMN3033LSN-7  与  IRLML6344TRPBF  区别

型号 DMN3033LSN-7 IRLML6344TRPBF
唯样编号 A3-DMN3033LSN-7 A-IRLML6344TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6A,10V 29mΩ@5A,4.5V
上升时间 7 ns -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SC-59 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A 5A
配置 Single -
长度 3 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
高度 1.1 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 63 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 DMN HEXFET®
通道数量 1 Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V 650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 5V 6.8nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 11 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 30,000 3,048
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

暂无价格 30,000 当前型号
IRLML0030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
19,026 对比
AO3404A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.3769 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3769
15,000 对比
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.1212
2,000: ¥1.0939
4,000: ¥1.0939
10,265 对比
AO3404A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
8,727 对比
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,048 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售